Samsung
Krenula proizvodnja 128 gigabitne 3-bit cell flash memorije
Samsung započeo masovnu proizvodnju nove 10 nanometarske NAND flash memorije.
Razvoj flash memorije uvijek se kreće u istom smjeru. Važno je da nove generacije memorije budu brže, manje i veće gustoće zapisa, pa kada vam neka od tih stvari pođe za rukom, dobijete bolji čip.
Samsung je upravo objavio početak masovne produkcije svoje 10 nanometarske 128 gigabitne 3-bit cell flash multi-level-cell NAND flash memorije koja u osnovi omogućuje više memorije po ćeliji na manjem prostoru.
Inženjeri Samsunga tvrde kako je novi čip sposoban za propusnost od 400 Mbps, te se hvale kako se radi o najvećoj gustoći zapisa u industriji. Novi silicij će se iskoristiti za izradu njihovih 128 GB memorijskih kartica i SSD diskova velikog kapaciteta (većih od 500 GB), a ujedno će doprinijeti i za unaprijeđenje uređaja s ugrađenom NAND memorijom za pohranu podataka, koja bi Samsung trebala održati konkurentnim na tržištu.
Izvor: Phone Arena
Učitavam komentare ...