Toshiba
MRAM za procesore pametnih telefona
Toshibina MRAM memorija će smanjiti potrošnju energije u pametnim telefonima za dvije trećine.
Toshiba je na IEDM događanju (IEEE International Electron Devices Meeting) u San Franciscu koje se fokusira na nove tehnologije poluvodiča, predstavila MRAM memoriju male snage i velike brzine, koje se može koristiti kao cache memorija (predmemorija) za mobilne procesore.
Ukoliko njihov proizvod ubrzo stigne na tržište, mogao bi iz uporabe izbaciti dosadašnju SRAM memoriju, kod koje je uočeno da sve više uzrokuje povećanje potrošnje energije.
MRAM memorija (magnetoresistive random access memory) u osnovi radi tako da se podaci čuvaju u magnetnim ćelijama, što znači da bi MRAM čipovi omogućili trenutno podizanje operativnog sustava nakon restartanja računala ili mobilnih uređaja, jer se podaci pohranjuju magnetski, za razliku od postojećih RAM tehnologija koje koriste električne naboje.
Toshiba kaže kako su njihovi znanstvenici koristili "spin-torque" tehnologiju koja koristi spin elektrona za pohranu podataka u magnetsko umjesto u elektronsko stanje, što znatno smanjuje energiju potrebnu za zapisivanje podataka, a novi čipovi koriste elemente manje veličine od 30 nanometara.
Obzirom da je Everspin prošli mjesec predstavio prvi svjetski ST-MRAM čip koji bi jednog dana mogao zamijeniti DRAM ili Flash memoriju, očito je kako magnetska memorija predstavlja jedan od vrlo vjerojatnih pravaca u kojem će se kretati IT tehnologija u skoroj budućnosti.
Nova ST-MRAM magnetna memorija je čak 500 puta brža od flash memorije.
G. Skillova 8 gigabajtna DDR 3 RAM memorija radi na frekvenciji od nevjerojatnih 2300 Mhz. Pravi raj za overclockere i sve one koji iz svojih računala žele izvući maksimalne performanse.
Učitavam komentare ...