Započela masovna produkcija 3D V-NAND Flash memorije

Do sada smo već imali priliku čuti da Intel proizvodi procesore s 3D tranzistorima, a sada sličnu tehnologiju koristi Samsung za svoje NAND Flash uređaje za pohranu.

Tehnologija koju koristi Samsung za takozvane 3D V-NAND memorijske čipove naziva se CTF (3D Charge Trap Flash), te uključuje takozvanu međupovezanu procesnu tehnologiju, koja pojednostavljeno rečeno, omogućuje dvostruko veću gustoću na 20nm tehnologiji, što ne može postići ni konvencionalna 10nm tehnologija.

"Podizanje" u treću dimenziju omogućuje novom V-NAND Flashu postizanje gustoće od 128 Gb na jednom (single) čipu, te povećanje brzine u odnosu na druge vrste NAND memorije.

Samsung kaže kako pouzdanost ove memorije raste s faktora 2 na 10, dok performanse zapisivanja rastu na faktor 2 u odnosu na konvencionalnu 10 nm "floating gate" NAND flash memoriju.

Samsung će 3D V-NAND memoriju koristiti u SSD diskovima, "embedanim" industrijskim PC računalima, pohrani za pametne telefone, tabletima, te raznim uređajima potrošačke elektronike.

Stariji potpredsjednik odjela flash product & technology u Samsung Electronicsu, Jeong-Hyuk Choi, kaže kako je ovo rezultat dugogodišnjih uspjeha njihovih zaposlenika koji su svojim inovativnim pristupima probijali granice u dizajnu memorije tehnologije poluvodiča, te vjeruje kako će Samsung ovime uvelike pridonijeti budućem globalnom rastu industrije memorije.

Sada nas samo zanima kada će se pojaviti prvi proizvodi s njihovom vertikalnom 3D memorijom, a tu se postavlja i pitanje hoće li zbog ovoga Samsungovi mobiteli i tableti postati deblji, što bi napokon okrenulo trend nadmetanja sve tanjim uređajima, čime nas proizvođači bombardiraju u posljednjih nekoliko godina. Za početak očekujemo neki monstrum od SSD diska, a biti će zanimljivo vidjeti kako će nova tehnologija utjecati na cijene SSD-ova koje su još uvijek jedina prepreka zbog koje ih već odavno svi ne posjedujemo u računalima umjesto tvrdih diskova.

Izvor: Samsung