Novi silicijski ReRAM memorijski čip

Znanstvenici University Collegea u Londonu (UCL), proizveli su prvi ReRAM memorijski čip koji može raditi u ambijentalnim uvjetima, što otvara mogućnost nastanka nove ultra brze memorije.

Resistive RAM ili ReRam čipovi se temelje na materijalima (najčešće metalnim oksidima), čiji se električni otpor mijenja pri dodavanju voltaže, a potom "pamti" te promjene čak i kada se struja isključi.

ReRAM čipovi stoga obećavaju znatno unaprjeđenje pohranjivanja memorije u odnosu na postojeće tehnologije poput Flash memorije u USB stickovima, te zahtijevaju manje energije, kao i prostora.

U radu objavljenom u publikaciji Journal of Applied Physic, znanstvenici UCL-a su objavili karakteristike nove strukture koja se temelji na silicijskom oksidu, što je veliki korak u razvoju ReRAM memorije. Za razliku od drugih čipova temeljenih na silicijevom oksidu koji su u razvoju, njihov čip je prvi koji ne zahtijeva vakuum da bi mogao raditi, pa je stoga potencijalno jeftiniji i naravno izdržljiviji.

Njihov dizajn također omogućava izradu prozirnih memorijskih čipova koji bi se ugrađiuvali u ekrane osjetljive na dodir i mobilne uređaje.

Dr Tony Kenyon, znanstvenik UCL-ovog odjela Electronic and Electrical Engineering, kaže: "Naši ReRAM memorijski čipovi trebaju jednu tisućinku energije koju troše standardni Flash memorijski čipovi, a 100 puta su brži od njih".

Za ovu tehnologiju u svijetu postoji veliki interes, još od kada je 2008. HP prikazao prvi praktični "memristor" baziran na titanijevom oksidu, a 2011. godine su najavili kako će kroz dvije godine proizvesti prvi čip ove tehnologije koji će se moći komercijalno primjenjivati.

Mada je nedavno HRL Laboratorij Sveučilišta Michigan predstavio svoj prvi funkcionalni memristor izgrađen na CMOS čipu za aplikacije "neuromorfne računalne arhitekture", znanstvenici UCL-a su sada iskoračili na jedan korak dalje od svih.

Znanstvenici UCL-a sada istražuju karakteristike otpora svojeg materijala za korištenje u računalnim procesorima.